少数载流子发射极;
A NEW METHOD FOR DETERMINATION OF ENERGY GAP AND MINORITY-CARRIER RECOMBINATION LIFETIME IN HIGHLY DOPED EMITTER The Influence of Stress on Mechanical Performance of Highly Doped Square-Shaped Silicon Diaphragm
重掺杂发射区中禁带宽度和少子复合寿命的确定方法应力对硅悬空薄膜的机械灵敏度的影响
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